太陽能教學實驗台設備中關於矽材料檢測測試平台
- 發表時間:2020-03-05 15:52:53
- 來源:未知
- 作者:高朋實驗設備
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太陽能教學實驗台設備中關(guan) 於(yu) 矽材料檢測測試平台文章由優(you) 質實驗設備廠家為(wei) 您提供,歡迎谘詢有關(guan) 太陽能教學實驗台設備中關(guan) 於(yu) 矽材料檢測測試平台周邊問題,或實驗設備的批發報價(jia) 安裝設計成套谘詢。
在我們(men) 的太陽能教學實驗平台中,有專(zhuan) 門測試矽材料的測試平台。可用於(yu) 矽材料檢測的一些實訓項目,也可用於(yu) 矽材料技術、光伏材料加工及應用技術的一些專(zhuan) 業(ye) 。該太陽能教學實驗台設計精確,可以根據常用的測試項目測試一些矽片或相關(guan) 產(chan) 品的電學性能。該實訓平台可進行的實訓項目有:
1,電導率測試:
太陽能教學實驗平台進行電導率測試的原理是:半導體(ti) 與(yu) 冷熱探針接觸後,由於(yu) 載流子的熱運動與(yu) 溫度有關(guan) ,熱區載流子的熱運動速度快,冷區載流子的熱運動速度慢,因此在冷熱端形成空穴或自由電子的濃度差,從(cong) 而產(chan) 生
2。用四探針法測試矽單晶電阻率:
4探針法是用四個(ge) 針距約為(wei) 1毫米的探針同時壓在矽單晶樣品的平麵上,用恒流源向外部的兩(liang) 個(ge) 探針施加電流,然後用電位計測量中間兩(liang) 個(ge) 探針上的壓降,然後根據推導出的簡化公式,四個(ge) 探針以等間距排列在同一條直線上,此時探針係數為(wei) 常數
在實際測量工作中,為(wei) 了計算方便,經常使電流I等於(yu) 探頭係數C的值,即I=C,因此ρ;=V23時,探針2和3之間測得的電勢差值等於(yu) 樣品的電阻率
3和少數載流子壽命測試:
太陽能教學實驗台采用電脈衝(chong) 和光脈衝(chong) 方法從(cong) 半導體(ti) 中激發不平衡載流子,調節半導體(ti) 的體(ti) 電阻,電導率增加,樣品電阻減小,因此流過樣品的高頻電流幅度增大。通過測量體(ti) 電阻或串聯電阻兩(liang) 端電壓的變化規律,觀察半導體(ti) 材料中不平衡少數載流子的衰減規律,從(cong) 而測量其壽命。
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